セッション詳細
[23a-52A-1~9]15.6 IV族系化合物(SiC)
2024年3月23日(土) 9:00 〜 11:30
52A (5号館)
太田 千春(東芝)
[23a-52A-1]3C-SiCと4H-SiCの交互エピタキシャル積層構造の形成
〇長澤 弘幸1、武者 倫正2、櫻庭 政夫2、佐藤 茂雄2 (1.株式会社CUSIC、2.東北大通研)
[23a-52A-2]Numerical Investigation on Critical Conditions for the Step Instability in Solution Growth of SiC
〇Xin Liu1, Toru Ujihara1 (1.IMaSS Nagoya Univ.)
[23a-52A-3]SiC昇華法における成長速度と成長温度・圧力の関係
〇西澤 伸一1、齋藤 渉1 (1.九大応力研)
[23a-52A-4]B,Nを添加した蛍光SiCにおける不純物濃度の最適化
〇坂 卓磨1、秋吉 翔太1、水野 大誠1、高橋 直暉1、赤澤 絵里2、鈴木 敦志2、Lu Weifang3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.E&Eエボ(株)、3.厦門大)
[23a-52A-5]ポーラスおよび蛍光6H-SiCを用いたハイブリット型白色LEDの発光特性
〇(M1)水野 大誠1、秋吉 翔太1、高橋 直暉1、坂 卓磨1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1、鈴木 敦志2、赤澤 絵理2、Ou Yiyu3、Ou Haiyan3、Wang Jiachen3 (1.名城大理、2.E&E エボリューション、3.デンマーク工科大学)
[23a-52A-6]SiO2/SiC 界面に形成した単一光子源の密度制御
〇金子 光顕1、高島 秀聡1,2、嶋崎 幸之介1、竹内 繁樹1、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.千歳科技大)
[23a-52A-7]12C濃縮4H-SiC中に形成したシリコン空孔のODMR特性
〇山城 宏育1,2、佐藤 真一郎2、村田 晃一3、花輪 雅史3、張 盛杰1,2、山﨑 雄一2、土田 秀一3、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼玉大工、2.量応研、3.電中研)
[23a-52A-8]水素イオン注入を行った4H-SiC中の基底面転位におけるUV照射下での積層欠陥拡張抑制効果
〇西尾 譲司1、太田 千春1、飯島 良介1 (1.東芝研開センター)
[23a-52A-9]耐圧維持層中のシングルショックレー型積層欠陥が4H-SiC PiNダイオードの電気特性に与える影響
〇浅田 聡志1、村田 晃一1、土田 秀一1 (1.電中研)