講演情報

9:30 〜 9:45

[23a-52A-3]SiC昇華法における成長速度と成長温度・圧力の関係

〇西澤伸一¹、齋藤渉¹ (1.九大応力研)

SiC,基板,成長速度

SiCパワーデバイス社会実装実現のためには、その出発材料であるSiCウェハ製造技術の確立、向上が重要である。ここでは製造効率向上の観点で、昇華法を取り上げ、成長速度と成長圧力、温度の関係について、数値解析により定量的に検討したので報告する。