[23a-52A-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

10:30 〜 10:45

[23a-52A-6] SiO₂/SiC 界面に形成した単一光子源の密度制御

〇金子 光顕¹、高島 秀聡^1,2、嶋崎 幸之介¹、竹内 繁樹¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.千歳科技大)

キーワード：

炭化ケイ素,単一光子源,界面欠陥