講演情報
[23a-52A-7]12C濃縮4H-SiC中に形成したシリコン空孔のODMR特性
〇山城 宏育1,2、佐藤 真一郎2、村田 晃一3、花輪 雅史3、張 盛杰1,2、山﨑 雄一2、土田 秀一3、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼玉大工、2.量応研、3.電中研)
キーワード：
量子センサー,シリコン空孔,光検出磁気共鳴(ODMR)
炭化ケイ素中の負に帯電したシリコン空孔(VSi-)は、磁場や温度を高感度に検出できる「量子センサ」への応用が期待されている。量子センサの性能は量子センサ数とそのコヒーレンス時間によって決まるため、コヒーレンス時間を維持しつつ、量子センサの数を最大化させる必要がある。そこで本研究では、12C濃縮した4H-SiCエピタキシャル膜を作製し、高エネルギー電子線照射によって形成したVSi-の光検出磁気共鳴特性について調べた。