[23a-52A-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:00 〜 11:15

[23a-52A-8] 水素イオン注入を行った4H-SiC中の基底面転位におけるUV照射下での積層欠陥拡張抑制効果

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：

単一ショックレー型積層欠陥,UV照射,順方向劣化

4H-SiCエピ層への水素イオン注入によって基底面転位(BPD)が単一ショックレー型積層欠陥(1SSF)に拡張するのを抑制できることが報告され、信頼性問題解決のための技術として注目されている。今回、一本のBPDに対して水素イオン注入を行い、UV照射による1SSF拡張の様子を水素イオン到達深さの尺度で観察し、1SSF拡張抑制への影響を調べた。