[23a-52A-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:15 〜 11:30

[23a-52A-9] 耐圧維持層中のシングルショックレー型積層欠陥が4H-SiC PiNダイオードの電気特性に与える影響

〇浅田 聡志¹、村田 晃一¹、土田 秀一¹ (1.電中研)

キーワード：

炭化ケイ素,積層欠陥,PiNダイオード