[23a-P06-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-P06-15] 赤外線加熱型TDSを用いたIGZO薄膜の特性評価

山本 伸一^1,2、Alshanbari Reem²、〇前島 邦光³、永井 慈¹、和迩 浩一¹、Kymissis Ioannis² (1.龍谷大先端理工、2.コロンビア大学、3.電子科学)

キーワード：

昇温脱離分析,In-Ga-Zn-O,アモルファス酸化物半導体