講演情報
[23a-P06-22]界面準位の分析によるPt/Nb:SrTiO3界面型ReRAMの劣化特性の解明
〇(B)石井 智博1、中村 駿斗1、大谷 亮介1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
キーワード：
ショットキー接合,界面準位,抵抗変化メモリ
本研究では、界面型ReRAMの劣化メカニズムを解明するため、Pt/Nb-doped SrTiO3接合を用いた実験を行った。製膜されたデバイスに対し、電流―電圧特性（I-V）測定と等温過渡容量法（ICTS）測定を実施。I-V測定では抵抗の増加が確認され、ICTS測定では界面トラップ準位の変化が観察された。これらの結果から、界面トラップの変化がReRAMのI-V特性に影響を与えていることが示唆された。