講演情報
[23a-P07-14]ZnOナノロッドバッファー層を導入したPolyimide上VO2薄膜の高配向結晶成長と曲げ耐久性
〇(M2)小澤 雪斗1、平鍋 頼2、下野 慎平2、劉 秋志2、沖村 邦雄1,2 (1.東海大院工、2.東海大工)
キーワード：
フレキシブル,スマートウインドウ,酸化物薄膜
VO₂は室温で単斜晶系の結晶構造を有し, 68ºC程度の温度で正方晶系の結晶構造へと転移し, それに伴って4～5桁に及ぶ抵抗値の変化, 即ち絶縁体-金属転移を引き起こす. このVO₂を柔軟な基板上に結晶成長させることが出来ればリジッドな基板と比較した際, センサーなどの応用例に対して軽量化や薄型化といった多くの利点がある. 本研究ではフレキシブル基板としてポリイミドを採用し，実用に供する高性能のVO2薄膜堆積を目指した.