講演情報
[23a-P07-15]GSTキャップ層の結晶化及びアモルファス化によるVO₂薄膜の不揮発的IMT制御に関する研究
〇大貫 卓斗1、劉 意琦2、名和 倭2、沖村 邦雄1,2、稲垣 翔哉3、村岡 祐治4、坂井 穣5、桑原 正史6、奈良崎 愛子6 (1.東海大院工、2.東海大工、3.岡山大理、4.岡山大基礎研、5.豊島製作所、6.産業技術総合研究所)
キーワード：
二酸化バナジウム,GST
VO2は68℃で絶縁体-金属転移(Insulator-Metal Transition: IMT)を示す相転移材料である.IMTは温度上昇などの外部的刺激で誘起され、その際電気的、光学的特性が変化する.したがって様々なデバイスへの応用が期待されている.しかしVO2は外部的刺激を除去することで誘起した金属相が失われてしまう課題がある.そこで相変化する際体積収縮を起こすGSTをVO2に堆積し、応力を与えることでIMT変調を試みた. この研究ではGSTの相変化によりVO2のIMTを不揮発的に制御する.