講演情報
[23a-P07-17]波長265nmLEDの光化学表面改質法により形成したポリカーボネート上シリコーン改質SiO2膜の形成とその評価
〇野尻 秀智1、岩井 和史1、吉井 良介2 (1.(株)レニアス、2.信越化学工業)
キーワード：
シリコーン,265 nm LED,光化学改質
ポリカーボネート(PC)上に形成したシリコーン樹脂膜に波長265 nm の紫外LEDを照射し、シリコーン樹脂表面を耐摩耗性の高いSiO2に改質する方法を検討した。紫外光の吸収性を高めるためUV吸収剤の添加量を調整し、改質反応を効果的に進めるためオゾン雰囲気中で光照射を行うことによりSiO2改質層を得た。ナノインデンテーション法およびテーバー摩耗試験の結果、表面硬度や耐摩耗性の向上を認めた。