講演情報
[23a-P07-5]蒸着法によるSiN薄膜の作製
〇室 幸市1、望月 章2、金澤 弥3 (1.帝京大理工、2.大正光学、3.三和研磨工業)
キーワード：
SiN薄膜,蒸着法,蒸着材料
透明な保護膜として用いられている窒化シリコン（Si3N4）薄膜は、一般的にスパッタリング法で成膜されている。これに対し、蒸着法によるSi3N4成膜の要求がある。そこで、蒸着法（N2イオンアシスト法）を用いて窒化シリコン（SiN）薄膜を作製した。出発材料によって、透過率、硬度、応力が異なる。一般的な光学保護膜として用いられるSiO2薄膜（O2イオンアシスト成膜）と比較して、2～3倍の硬度が得られた。