[23a-P07-1~19] 6.4 薄膜新材料

[23a-P07-9] 固相反応法によるｐ型酸化物半導体Bi₂WO₆薄膜の作製

〇高桑 一朗¹、清野 隆介^1,2、鈴木 晴也¹、小澤 健一³、荻野 拓²、西尾 圭史¹、簑原 誠人² (1.東理大先進工、2.産総研、3.KEK物構研)

キーワード：

酸化物半導体,固相エピタキシー法,欠損抑制