講演情報
[23p-12E-11]P+基板をソースとした縦型ダイヤモンドMOSFETsの作製
〇(B)高野 優希1、高橋 輝1、太田 康介1,2、浅井 風雅1、長 幸宏1、平岩 篤3、藤嶌 辰也2、川原田 洋1,2,3 (1.早大理工、2.(株) Power Diamond Systems、3.早大材研)
キーワード：
ダイヤモンド,縦型マルチフィンガーMOSFET
本研究では，P+基板をソースとした縦型マルチフィンガーMOSFETsを作製し,VGS: -30 V,VDS: -40 Vにて，ID,max: 297.4 mA/mmを達成した。また、WTを2倍に拡大すると、電流密度が1.5倍に増加した。これは、WTの拡大によって、ゲートがp＋基板と接触する部分が拡大され、p+基板から正孔が注入されやすくなるためだと考えられる。また，フィンガー数を2倍にすることによってWGTを2倍に拡大しても電流密度を維持した状態で実電流が約2倍に増大した。