2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.2 カーボン系薄膜

[23p-12E-1~13]6.2 カーボン系薄膜

2024年3月23日(土) 13:30 〜 17:00
12E (1号館)
牧野 俊晴(産総研)、 片宗 優貴(九工大)、 市川 公善(金沢大)
13:30 〜 13:45英語発表

[23p-12E-1]Effect of seed density on the morphology of polycrystalline diamond films

〇David VazquezCortes1, Stoffel Janssens1, Eliot Fried1 (1.OIST)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[23p-12E-2]マイクロ波プラズマCVD法を用いたダイヤモンド成長におけるプラズマパラメータの影響

〇新田 魁洲1、嶋岡 毅紘1、山田 英明1 (1.産総研)
14:00 〜 14:15

[23p-12E-3]Mnドープダイヤモンド(111)表面上におけるステップピニング

〇河野 慎1、平間 一行1、谷保 芳孝1、熊倉 一英1 (1.NTT物性研)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[23p-12E-4]非接触原子間力顕微鏡によるダイヤモンド(001)表面の原子像観察

〇安井 勇気1、張 潤楠1、福田 将大2、尾崎 泰助2、小倉 政彦3、牧野 俊晴3、竹内 大輔3、杉本 宜昭1 (1.東大新領域、2.東大物性研、3.産総研)
14:30 〜 14:45英語発表

[23p-12E-5]Adatom structures on the clean diamond (001) surfaces observed with non-contact atomic force microscopy

〇(DC)RUNNAN ZHANG1, Yuuki Yasui1, Masahiro Fukuda2, Masahiko Ogura3, Toshiharu Makino3, Taisuke Ozaki2, Daisuke Takeuchi3, Yoshiaki Sugimoto1 (1.Dept. Adv. Mater. Sci., Univ. Tokyo, 2.ISSP, Univ. Tokyo, 3.AIST)
14:45 〜 15:00英語発表

[23p-12E-6]Air Damping Effect on Quality-Factor in High-Order Resonance Modes of Single-Crystal Diamond Microcantilevers

〇(DC)Guo Chen1,2, Zilong Zhang1, Keyun Gu1, Liwen Sang1, Satoshi Koizumi1, Yasuo Koide1, Zhaohui Huang2, Meiyong Liao1 (1.National Institute for Materials Science, 2.China University of Geosciences (Beijing))
15:15 〜 15:30

[23p-12E-7]エピタキシャル成長ダイヤモンド薄膜中のBeの拡散係数の推定

〇三宅 泰斗1、奥野 広樹1、渡邊 幸志1,2 (1.理研仁科センター、2.産総研)
15:30 〜 15:45

[23p-12E-8]高純度ホモエピタキシャルCVDダイヤモンドへの低濃度Bイオン注入によるp型伝導層の形成と補償の影響

〇関 裕平1、吉原 実奈美1、星野 靖1 (1.神奈川大理)
15:45 〜 16:00

[23p-12E-9]n型ダイヤモンド半導体における不純物濃度と接触抵抗の関係

〇松本 翼1、村 光希哉1、松島 優希1、宮崎 泰一1、林 寛1、市川 公善1、牧野 俊晴2、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研)
16:00 〜 16:15

[23p-12E-10]ホウ素ドープダイヤモンド金属酸化物半導体界面効果トランジスタ

〇劉 江偉1、寺地 徳之1、達 博1、小出 康夫1 (1.物材機構)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[23p-12E-11]P+基板をソースとした縦型ダイヤモンドMOSFETsの作製

〇(B)高野 優希1、高橋 輝1、太田 康介1,2、浅井 風雅1、長 幸宏1、平岩 篤3、藤嶌 辰也2、川原田 洋1,2,3 (1.早大理工、2.(株) Power Diamond Systems、3.早大材研)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[23p-12E-12](001) C-HダイヤモンドMOSFETにおける高濃度ボロンドープ層の効果

〇(B)山本 稜将1、成田 憲人1、太田 康介1,2、高橋 輝1、大井 信敬2、平岩 篤1、藤嶌 辰也2、川原田 洋1,2,3 (1.早大理工、2.(株) Power Diamond Systems、3.早大材研)
16:45 〜 17:00

[23p-12E-13]CVD成膜したダイヤモンド上に作製したh-BNゲート絶縁体を用いた電界効果トランジスタ

〇笹間 陽介1、岩﨑 拓哉1、井村 将隆1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、山口 尚秀1,2 (1.NIMS、2.筑波大数理)
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