2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.2 カーボン系薄膜

[23p-12E-1~13]6.2 カーボン系薄膜

2024年3月23日(土) 13:30 〜 17:00
12E (1号館)
牧野 俊晴(産総研)、 片宗 優貴(九工大)、 市川 公善(金沢大)
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13:30 〜 13:45英語発表

[23p-12E-1]Effect of seed density on the morphology of polycrystalline diamond films

〇David VazquezCortes1, Stoffel Janssens1, Eliot Fried1 (1.OIST)
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13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[23p-12E-2]マイクロ波プラズマCVD法を用いたダイヤモンド成長におけるプラズマパラメータの影響

〇新田 魁洲1、嶋岡 毅紘1、山田 英明1 (1.産総研)
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14:00 〜 14:15

[23p-12E-3]Mnドープダイヤモンド(111)表面上におけるステップピニング

〇河野 慎1、平間 一行1、谷保 芳孝1、熊倉 一英1 (1.NTT物性研)
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14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[23p-12E-4]非接触原子間力顕微鏡によるダイヤモンド(001)表面の原子像観察

〇安井 勇気1、張 潤楠1、福田 将大2、尾崎 泰助2、小倉 政彦3、牧野 俊晴3、竹内 大輔3、杉本 宜昭1 (1.東大新領域、2.東大物性研、3.産総研)
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14:30 〜 14:45英語発表

[23p-12E-5]Adatom structures on the clean diamond (001) surfaces observed with non-contact atomic force microscopy

〇(DC)RUNNAN ZHANG1, Yuuki Yasui1, Masahiro Fukuda2, Masahiko Ogura3, Toshiharu Makino3, Taisuke Ozaki2, Daisuke Takeuchi3, Yoshiaki Sugimoto1 (1.Dept. Adv. Mater. Sci., Univ. Tokyo, 2.ISSP, Univ. Tokyo, 3.AIST)
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14:45 〜 15:00英語発表

[23p-12E-6]Air Damping Effect on Quality-Factor in High-Order Resonance Modes of Single-Crystal Diamond Microcantilevers

〇(DC)Guo Chen1,2, Zilong Zhang1, Keyun Gu1, Liwen Sang1, Satoshi Koizumi1, Yasuo Koide1, Zhaohui Huang2, Meiyong Liao1 (1.National Institute for Materials Science, 2.China University of Geosciences (Beijing))
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15:15 〜 15:30

[23p-12E-7]エピタキシャル成長ダイヤモンド薄膜中のBeの拡散係数の推定

〇三宅 泰斗1、奥野 広樹1、渡邊 幸志1,2 (1.理研仁科センター、2.産総研)
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15:30 〜 15:45

[23p-12E-8]高純度ホモエピタキシャルCVDダイヤモンドへの低濃度Bイオン注入によるp型伝導層の形成と補償の影響

〇関 裕平1、吉原 実奈美1、星野 靖1 (1.神奈川大理)
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15:45 〜 16:00

[23p-12E-9]n型ダイヤモンド半導体における不純物濃度と接触抵抗の関係

〇松本 翼1、村 光希哉1、松島 優希1、宮崎 泰一1、林 寛1、市川 公善1、牧野 俊晴2、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研)
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16:00 〜 16:15

[23p-12E-10]ホウ素ドープダイヤモンド金属酸化物半導体界面効果トランジスタ

〇劉 江偉1、寺地 徳之1、達 博1、小出 康夫1 (1.物材機構)
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16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[23p-12E-11]P+基板をソースとした縦型ダイヤモンドMOSFETsの作製

〇(B)高野 優希1、高橋 輝1、太田 康介1,2、浅井 風雅1、長 幸宏1、平岩 篤3、藤嶌 辰也2、川原田 洋1,2,3 (1.早大理工、2.(株) Power Diamond Systems、3.早大材研)
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16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[23p-12E-12](001) C-HダイヤモンドMOSFETにおける高濃度ボロンドープ層の効果

〇(B)山本 稜将1、成田 憲人1、太田 康介1,2、高橋 輝1、大井 信敬2、平岩 篤1、藤嶌 辰也2、川原田 洋1,2,3 (1.早大理工、2.(株) Power Diamond Systems、3.早大材研)
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16:45 〜 17:00

[23p-12E-13]CVD成膜したダイヤモンド上に作製したh-BNゲート絶縁体を用いた電界効果トランジスタ

〇笹間 陽介1、岩﨑 拓哉1、井村 将隆1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、山口 尚秀1,2 (1.NIMS、2.筑波大数理)
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