[23p-12E-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[23p-12E-12] (001) C-HダイヤモンドMOSFETにおける高濃度ボロンドープ層の効果

〇(B)山本 稜将¹、成田 憲人¹、太田 康介^1,2、高橋 輝¹、大井 信敬²、平岩 篤¹、藤嶌 辰也²、川原田 洋^1,2,3 (1.早大理工、2.(株) Power Diamond Systems、3.早大材研)

キーワード：

ダイヤモンド,MOSFET,接触抵抗

(001)ダイヤモンド基板において、高濃度ボロンドープ層(p⁺層)がダイヤモンド半導体と金属電極のコンタクトに与える影響を調査した。TLM測定より接触抵抗はp⁺層ありで19 Ωmm 、p⁺層なしで40 Ωmmとp⁺層の導入により半減した。さらに、横型MOSFETでのDC測定からサブスレッショルドスイング値、オン抵抗の改善および閾値電圧の負側へのシフトが確認できた。