講演情報
[23p-12E-7]エピタキシャル成長ダイヤモンド薄膜中のBeの拡散係数の推定
〇三宅 泰斗1、奥野 広樹1、渡邊 幸志1,2 (1.理研仁科センター、2.産総研)
キーワード：
ダイヤモンド,イオン注入,核種変換
本研究ではBeの放射性同位体7Beの7Liへの核種変換反応を利用して、7Liがドープされたダイヤモンドを製作することを目的とする。現在までに、ホモエピタキシャル成長ダイヤモンド薄膜にBeをイオン注入し、ドーズ量を変えることで、加熱処理によるBeの異なる拡散を見出した。本研究では、ドーズ量1013cm-2程度でRTAの加熱条件を変化させることで、Beのダイヤモンド中での拡散係数の推定を試みた。