[23p-12E-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

15:30 〜 15:45

[23p-12E-8] 高純度ホモエピタキシャルCVDダイヤモンドへの低濃度Bイオン注入によるp型伝導層の形成と補償の影響

〇関 裕平¹、吉原 実奈美¹、星野 靖¹ (1.神奈川大理)

キーワード：

イオン注入,Hall効果,ダイヤモンド半導体