講演情報
[23p-12F-5]時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による局所MOS容量-電圧特性測定とゆらぎ解析
〇山末 耕平1、長 康雄2 (1.東北大通研、2.東北大NICHe)
キーワード：
走査型非線形誘電率顕微鏡,SiC,MOS界面
時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いた絶縁膜-半導体界面の電荷状態の微視的評価手法とそのSiCへの応用について述べる．SNDMは，導電性探針を試料表面に接触させることで，各測定点の微視的な静電容量-電圧特性を高感度に測定できるため，界面における欠陥や固定電荷に由来する界面電荷密度分布を反映する像を得ることができる．本発表では，提案手法をSiO2/SiC界面に適用し，得られた実空間像を組み込んだデバイスシミュレーションにより界面電荷密度の空間ゆらぎがSiCを用いたMOSFETのチャネル移動度に強く影響し得ることを明らかにする．