講演情報
[23p-12G-2]単一蒸着源を用いたMBE法によるBi2Se3超薄膜の作製と評価
〇八田 振一郎1、深澤 建次郎1、奥山 弘1、有賀 哲也1 (1.京大院理)
キーワード：
トポロジカル絶縁体,超薄膜,MBE
MBEによってBi2Se3の薄膜を作製した。BiとSeの共蒸着法が一般的であるが、我々は多結晶Bi2Se3をTaるつぼに入れた、単一蒸着源によってこれを行った。基板にはBi/Si(111)表面を用い、室温で蒸着した後、約470 Kでアニールした。角度分解光電子分光法によってバンド構造の膜厚変化を観測し、(111)配向した超薄膜が作製できていることを確認した。