講演情報
[23p-12J-10]新電解技術による層間絶縁膜上へのRu結晶核の形成
〇岩津 春生1 (1.KMP研究所)
キーワード：
半導体,微細配線,成膜
従来の微細配線工程ではバリア、シード膜を通電膜として電解めっきで配線材の埋込が成されてきたが、昨今高抵抗のバリア膜が不要な配線材料Co,Ruが検討されている。新電解技術ではバリア膜を用いず下層配線との接続Viaからのボトムアップ成膜が実現出来た。今回Via無しの配線溝で成膜出来る様、Low-K絶縁膜上に直接Ru結晶核を形成したので報告する。