講演情報
[23p-12J-5][第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] ウエハ接合を用いた3D集積と今後の展望
〇永野 風矢1 (1.東京エレクトロン九州株式会社)
キーワード：
3次元積層,ウエハ接合,SiCN
3次元積層技術は半導体デバイスの性能向上鈍化を軽減しつつ単位面積当たりの集積度を上げさらには機能の多様性を与える、有望な半導体集積技術となりつつある。本講演は研究奨励賞として表彰された、ウエハ接合に用いられる絶縁体SiCNの接合メカニズムを解明した論文を紹介しながら、ウエハ接合用いた3D集積の概要とその展望について解説する。