講演情報

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[23p-12K-4]スパッタSi膜のμCLS法による(001)単結晶帯成長

〇(B)野須涼太¹、葉文昌¹ (1.島根大総合理工)

単結晶,スパッタリング,シリコン

これまで我々はSiO₂上にマイクロシェブロン走査(μCLS)法によりSiの(001)単結晶帯を得ることに成功している。しかしこのSi膜はCVD法によるもので、原料ガスの危険性が高い。Si成膜方法を安全で環境に良いスパッタ法へ変更し(001)単結晶帯成長を試みた。