講演情報
[23p-12K-9]Si/Ge/SiO2の低温成長とその構造及び電気特性評価
〇有元 圭介1、近藤 弘人1、河村 剛登1、中川 清和1、原 康祐1、山中 淳二1 (1.山梨大)
キーワード：
TFT,Ge,半導体
非晶質基板上への半導体薄膜の応用では、プロセス温度の低温化とキャリア移動度の 向上およびリーク電流の低減が望まれている。本研究では、SiO2ガラス基板上に低温で Si/Ge構造をMBEにより形成し、下地Geの膜厚が表面粗さや結晶性に及ぼす影響を調べた。また、400℃以下のプロセスで形成したp型TFTにおいて、５桁のON/OFF比を得た。