講演情報
[23p-1BJ-5]TMR センサにおける 1/f ノイズの理論解析
〇今村 裕志1、荒井 礼子1、松本 利映1、山路 俊樹1 (1.産総研)
キーワード：
磁場センサー,トンネル磁気抵抗効果,1/f ノイズ
本研究では、熱浴相関時間の分布に起因するTMRセンサーの1/fノイズについて、一般化ランジュバン方程式を用いた理論解析を行なった。低周波数領域における電圧ノイズのパワースペクトルの解析解を導出し、1/fノイズであることを示した。提案した理論モデルから導出したノイズ強度とセンサー感度のバイアス磁場依存性は、最近の実験結果を定性的によく再現する。 さらに、TMRセンサーが高い検出能力を持つバイアス磁場の予測も行なった。