GaInN系モノリシック型μLEDアレイは高集積化，高輝度化が可能でありAR/VRディスプレイへの応用が期待されており、高精細な画像を得るためには迷光対策が必要である．これまでの検討で，サファイア基板上に作製したμLEDアレイでは周期的に強い光強度の迷光が現れることが報告された。本報告では，サファイア基板を研削し膜厚を変更し，その依存性を検証した．結果として，サファイア基板の膜厚低下とともに，迷光が増大する傾向が確認された.