[23p-22A-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

13:45 〜 14:00

[23p-22A-4] 界面変調Sn添加多結晶Ge薄膜/絶縁基板へのポストアニール効果

〇橋本 隆¹、古賀 泰志郎¹、梶原 隆司¹、佐道 泰造¹ (1.九大システム情報)

キーワード：

半導体,ゲルマニウム