[23p-31A-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:00 〜 13:15

[23p-31A-1] [第55回講演奨励賞受賞記念講演] 減圧ホットウォールMOVPE法による高純度ベータ酸化ガリウム厚膜の高速成長及びデバイス応用に向けた今後の展望

〇吉永 純也^1,2、朴 冠錫¹、池永 和正¹、外里 遥²、奥山 貴仁²、後藤 健²、熊谷 義直² (1.大陽日酸株式会社、2.東京農工大院工)

キーワード：

ベータ酸化ガリウム,有機金属気相成長,パワーデバイス

本研究では、蒸気圧が高いTMGaを前駆体に用いた高純度β-Ga₂O₃厚膜のMOVPE成長が検討された。TMGa供給速度の増加に伴い成長速度は線形に増加し、16 μm/hを超える高成長速度が達成された。すべての成長速度において、H、C、N、Si不純物濃度はSIMSのバックグラウンドレベル未満であった。当日は、MOVPE成長β-Ga₂O₃のデバイス応用に向けた展望についても報告する。