セッション詳細
[23p-31A-1~15]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2024年3月23日(土) 13:00 〜 17:00
31A (3号館)
大島 孝仁(物材機構)、 神野 莉衣奈(東大)
[23p-31A-1][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 減圧ホットウォールMOVPE法による高純度ベータ酸化ガリウム厚膜の高速成長及びデバイス応用に向けた今後の展望
〇吉永 純也1,2、朴 冠錫1、池永 和正1、外里 遥2、奥山 貴仁2、後藤 健2、熊谷 義直2 (1.大陽日酸株式会社、2.東京農工大院工)
[23p-31A-5]MBE法による(AlxGa1-x)2O3結晶成長の熱力学的検討
〇富樫 理恵1、東脇 正高2,3、熊谷 義直4 (1.上智大理工、2.大阪公立大院工、3.情報通信研究機構、4.東京農工大院工)
[23p-31A-7]ミスト CVD 法による c, a, m, n, r 面サファイア基板上へのα型酸化ガリウム薄膜高温成長
田村 大翔1、〇宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)
[23p-31A-8]サファイア基板上α-Ga2O3薄膜における貫通転位の構造
〇高根 倫史1、小西 伸弥1、早坂 祐一郎2、大多 亮3、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎4、田中 勝久1 (1.京大、2.東北大、3.北大、4.立命館大)
[23p-31A-10]トリハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3成長における金属触媒効果
〇(M1)田口 幸佑1、江間 研太郎2、佐々木 公平2、村上 尚1 (1.東京農工大院BASE、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
[23p-31A-11]Investigation of interface traps in β-(AlGa)2O3/Ga2O3 heterostructure by dynamic capacitance dispersion technique
〇(DC)Fenfen Fenda Florena1, Aboulaye Traore1,2, Ryo Morita1, Yun Jia1, Hironori Okumura1,2, Takeaki Sakurai1,2 (1.Univ. Tsukuba, 2.Japanese - French Lab. for Semiconductor Physics and Technology (J-FAST), Univ. Grenoble Alpes, Univ. Tsukuba)
[23p-31A-13]Traps in p-Cu2O/n-Ga2O3 heterojunction diodes studied by deep level transient spectroscopy
〇Yun Jia1, Aboulaye Traore1, Ryo Morita1, Fenfen Fenda Florena1, Muhammad Monirul Islam1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba)