2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-31A-1~15]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2024年3月23日(土) 13:00 〜 17:00
31A (3号館)
大島 孝仁(物材機構)、 神野 莉衣奈(東大)
13:00 〜 13:15

[23p-31A-1][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 減圧ホットウォールMOVPE法による高純度ベータ酸化ガリウム厚膜の高速成長及びデバイス応用に向けた今後の展望

〇吉永 純也1,2、朴 冠錫1、池永 和正1、外里 遥2、奥山 貴仁2、後藤 健2、熊谷 義直2 (1.大陽日酸株式会社、2.東京農工大院工)
13:15 〜 13:30

[23p-31A-2]液相エピタキシー法による高品質β -Ga2O3エピタキシャル厚膜の育成

〇田所 弘晃1、陳 智瑨1、宮本 美幸1、嘉村 輝雄1 (1.三菱ガス化学)
13:30 〜 13:45

[23p-31A-3]MBE法により成長したサファイア基板上α-(AlGa)2O3層の臨界膜厚

〇奥村 宏典1 (1.筑波大数理)
13:45 〜 14:00

[23p-31A-4]MOCVD法により成長したサファイア基板上α-Ga2O3層の電気的特性

〇奥村 宏典1 (1.筑波大　数理)
14:00 〜 14:15

[23p-31A-5]MBE法による(AlxGa1-x)2O3結晶成長の熱力学的検討

〇富樫 理恵1、東脇 正高2,3、熊谷 義直4 (1.上智大理工、2.大阪公立大院工、3.情報通信研究機構、4.東京農工大院工)
14:15 〜 14:30

[23p-31A-6]α-Cr2O3基板に格子整合したα-(Al,Ga)2O3の成長

〇神野 莉衣奈1、大島 孝仁2、大島 祐一2、深津 晋1 (1.東大院総合文化、2.NIMS)
14:30 〜 14:45

[23p-31A-7]ミスト CVD 法による c, a, m, n, r 面サファイア基板上へのα型酸化ガリウム薄膜高温成長

田村 大翔1、〇宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)
14:45 〜 15:00

[23p-31A-8]サファイア基板上α-Ga2O3薄膜における貫通転位の構造

〇高根 倫史1、小西 伸弥1、早坂 祐一郎2、大多 亮3、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎4、田中 勝久1 (1.京大、2.東北大、3.北大、4.立命館大)
15:15 〜 15:30

[23p-31A-9]MoO3をフラックスとして用いた基板上へのβ-Ga2O3結晶成長

笠井 凱貴1、〇太子 敏則1 (1.信大工)
15:30 〜 15:45

[23p-31A-10]トリハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3成長における金属触媒効果

〇(M1)田口 幸佑1、江間 研太郎2、佐々木 公平2、村上 尚1 (1.東京農工大院BASE、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
15:45 〜 16:00英語発表

[23p-31A-11]Investigation of interface traps in β-(AlGa)2O3/Ga2O3 heterostructure by dynamic capacitance dispersion technique

〇(DC)Fenfen Fenda Florena1, Aboulaye Traore1,2, Ryo Morita1, Yun Jia1, Hironori Okumura1,2, Takeaki Sakurai1,2 (1.Univ. Tsukuba, 2.Japanese - French Lab. for Semiconductor Physics and Technology (J-FAST), Univ. Grenoble Alpes, Univ. Tsukuba)
16:00 〜 16:15

[23p-31A-12]Hfドープα-Ga2O3薄膜の電気伝導特性

〇磯部 優貴1、若松 岳1、高根 倫史1、金子 健太郎2、田中 勝久1 (1.京大院工、2.立命館大総研)
16:15 〜 16:30英語発表

[23p-31A-13]Traps in p-Cu2O/n-Ga2O3 heterojunction diodes studied by deep level transient spectroscopy

〇Yun Jia1, Aboulaye Traore1, Ryo Morita1, Fenfen Fenda Florena1, Muhammad Monirul Islam1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba)
16:30 〜 16:45

[23p-31A-14]ラジカル酸化処理による酸化ガリウム薄膜の改質

〇森田 拓海1、橋本 圭市2、諏訪 智之2、今泉 文伸1 (1.小山高専、2.東北大未来研)
16:45 〜 17:00

[23p-31A-15](-102) β-Ga2O3への大気圧下での窒素希釈水素ガスエッチング

〇大島 孝仁1、富樫 理恵2、大島 祐一1 (1.NIMS、2.上智大)
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