[23p-31A-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:30 〜 15:45

[23p-31A-10] トリハライド気相成長法を用いたβ-Ga₂O₃成長における金属触媒効果

〇(M1)田口 幸佑¹、江間 研太郎²、佐々木 公平²、村上 尚¹ (1.東京農工大院BASE、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

半導体,気相成長