[23p-31A-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:00 〜 16:15

[23p-31A-12] Hfドープα-Ga₂O₃薄膜の電気伝導特性

〇磯部 優貴¹、若松 岳¹、高根 倫史¹、金子 健太郎²、田中 勝久¹ (1.京大院工、2.立命館大総研)

キーワード：

酸化ガリウム,ミストCVD

5.6 eVのバンドギャップを持つ超ワイドバンドギャップ半導体であるα-Ga₂O₃がパワーデバイス材料として注目されている。本研究では、ミストCVD法を用いてHfドープα-Ga₂O₃薄膜を作製し、電気伝導特性を評価することを試みた。