講演情報
[23p-31A-7]ミスト CVD 法による c, a, m, n, r 面サファイア基板上へのα型酸化ガリウム薄膜高温成長
田村 大翔1、〇宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)
キーワード：
酸化ガリウム,ミストCVD法,エピタキシャル成長
c, a, m, n, r面サファイア基板上に、600～750℃の高い温度でα型酸化ガリウムを成長させた。α型酸化ガリウムは準安定相であるため、700℃以上でβ型になると言われている。c面上に成長させた場合には600℃以上でκ型やβ型が現れたが、その他の面方位ではr面の700℃以上を除き、α相がエピタキシャル成長した。