講演情報
[23p-31A-8]サファイア基板上α-Ga2O3薄膜における貫通転位の構造
〇高根 倫史1、小西 伸弥1、早坂 祐一郎2、大多 亮3、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎4、田中 勝久1 (1.京大、2.東北大、3.北大、4.立命館大)
キーワード：
酸化ガリウム,貫通転位,TEM
5.3 eVのバンドギャップを有するα-Ga2O3は，次世代パワーデバイス材料として期待されている．しかし，サファイア基板上α-Ga2O3薄膜には，高密度の貫通転位が導入されることが知られている．デバイスの信頼性向上のためには，貫通転位の構造とデバイス動作への影響の相関を明らかにする必要がある．そこで本研究では，サファイア基板上α-Ga2O3薄膜における貫通の構造を原子レベルで解析した．