[23p-31A-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30

[23p-31A-9] MoO₃をフラックスとして用いた基板上へのβ-Ga₂O₃結晶成長

笠井 凱貴¹、〇太子 敏則¹ (1.信大工)

キーワード：

β型酸化ガリウム,結晶成長,薄膜

本研究では、MoO₃をフラックスとして用いて、β-Ga₂O₃基板表面上へのβ-Ga₂O₃薄膜の成長を検討した。実験の結果、(010)基板表面に数μmの薄膜が形成され、基板と同じ(010)に配向したβ-Ga₂O₃薄膜であることが確認された。