セッション詳細

[23p-31B-1~18]17.3 層状物質

2024年3月23日(土) 13:00 〜 18:00
31B (3号館)
中払 周(東京工科大)、 山本 真人(関大)

[23p-31B-1][第45回解説論文賞受賞記念講演] 二次元層状物質のファンデルワールス積層技術

〇小野寺 桃子1、増渕 覚1、守谷 頼1、町田 友樹1 (1.東大生研)

[23p-31B-2]WSe2/h-BN/WSe2ヘテロ構造におけるΓ-ΓトンネルとK-Γトンネルの選択的検出

〇木下 圭1、守谷 頼1、川﨑 盛矢1、小野寺 桃子1、張 奕勁1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、笹川 崇男3、町田 友樹1 (1.東大生研、2.物材機構、3.東工大フロンティア研)

[23p-31B-3]遷移金属ダイカルコゲナイド共鳴トンネルデバイスにおける負性微分抵抗の観測とバンド構造形成メカニズムの解明

〇川崎 盛矢1、木下 圭1、小野寺 桃子1、守谷 頼1、張 奕勁1、増渕 覚1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、笹川 崇男3、町田 友樹1 (1.東大生研、2.物材機構、3.東工大フロンティア研)

[23p-31B-4]単層ヤヌス遷移金属ダイカルコゲナイドにおける電子バンド構造の直接観測

〇(M2)赤塚 俊輔1、坂野 昌人1、中條 博史2,3、加藤 俊顕2、山口 直也4、石井 史之4、山本 崇人1、三石 夏樹5、渡邊 賢司6、谷口 尚6、北村 未歩7、堀場 弘司7、菅原 克明8,9、相馬 清吾9、佐藤 宇史8,9、組頭 広志10、瀬尾 優太11、増渕 覚11、町田 友樹11、石坂 香子1,5 (1.東大工、2.東北大院工、3.株式会社KOKUSAI ELECTRIC、4.金沢大NanoMaRi、5.理研CEMS、6.物材機構、7.量研機構、8.東北大院理、9.東北大WPI-AIMR、10.東北大多元研、11.東大生産研)

[23p-31B-5]走査型非線形誘電率顕微鏡によるMoS2積層pn接合のナノスケール観察

〇(M2)石塚 太陽1,2、山末 耕平2 (1.東北大院工、2.東北大通研)

[23p-31B-6]イオン性ポリマーの接合による半導体MoS2のトポロジカル絶縁体相への状態変換

〇松山 圭吾1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)

[23p-31B-7]ひずみ印加した層状物質SnSの発光特性評価

〇森 敦彦1、小山 和輝1、石原 淳1、山本 壮太1、好田 誠1,2,3,4 (1.東北大院工、2.東北大CSIS、3.東北大DEFS、4.QUARC量研)

[23p-31B-8]高品質転写手法と結晶方位制御技術の融合による大面積二次元材料ヘテロ構造の創出

〇濱田 葵生1,2、唐 超1,3、田村 紘一1,4、佐藤 昭1、尾辻 泰一1 (1.東北大通研、2.東北大工、3.東北大学際研、4.東北大工学研究科)

[23p-31B-9]機能性テープによるCVD合成したMoS2の大面積転写

〇黒木 麻衣1、深町 悟2、中谷 真季2、Ma Zongpeng1、本田 哲士3、保井 淳3、吾郷 浩樹1,2 (1.九大院総理工、2.九大GIC、3.日東電工)

[23p-31B-10][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 単一ドメインSnS結晶におけるシフト電流と歪印可による局所分極制御

〇名苗 遼1、來村 颯樹1、Moqbel Redhwan2、張 益仁3、金橋 魁利1、西村 知紀1、林 宮玄2、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.中研院、3.理研)

[23p-31B-11]希薄NbドープWSe2 FETにおける層数減少に伴うp+からn型への遷移

〇金橋 魁利1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大理工)

[23p-31B-12]F6-TCNNQ成膜によるWSe2-FETへの電荷移動ドーピングの評価

堀場 大輔1、小島 拓也1、松田 健生1、坂梨 昂平1、熊谷 翔平2、岡本 敏宏2、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.東工大応化)

[23p-31B-13]スプリットゲート構造によるバレー流の量子化現象の観測

〇高橋 慶1、中山 祐輔1、バード ジョナサン1,2、渡邊 賢治3、谷口 尚3、柯 梦南1、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.バッファロー大、3.物材機構)

[23p-31B-14]層状ヒ化ゲルマニウム膜の酸化による膜厚制御

〇蓮見 歩太1、浦上 法之1,2、橋本 佳男1,2 (1.信州大工、2.信州大 先鋭材料研)

[23p-31B-15]遷移金属ダイカルコゲナイドのヤヌス化反応における電気伝導特性のその場観測

〇青木 颯馬1,2、中条 博史1,2,3、加藤 俊顕1,2 (1.東北大院工、2.東北大材料科学高等研究所、3.(株)KOKUSAI ELECTRIC)

[23p-31B-16]MoS2/CrPS4人工ヘテロ構造デバイスにおける磁気光起電力特性

〇朝田 秀一1、篠北 啓介1、松田 一成1 (1.京大エネ研)

[23p-31B-17]Rectifying properties of single-crystal h-BN-based vertical power devices

〇Supawan Ngamprapawat1, Tomonori Nishimura1, Kaito Kanahashi1, Kenji Watanabe2, Takashi Taniguchi2, Kosuke Nagashio1 (1.Univ. Tokyo, 2.NIMS)

[23p-31B-18]電子輸送層にTi3C2Tx MXeneを用いた有機フォトダイオードの開発

〇(M1)佐々木 光生1、運 愛斗1、大井 寛崇2、横田 知之1 (1.東大工、2.日本材料技研)