講演情報
[23p-31B-12]F6-TCNNQ成膜によるWSe2-FETへの電荷移動ドーピングの評価
堀場 大輔1、小島 拓也1、松田 健生1、坂梨 昂平1、熊谷 翔平2、岡本 敏宏2、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.東工大応化)
キーワード：
WSe2,ドーピング効果,F6-TCNNQ
F6-TCNNQをWSe2上に単分子成膜することで，WSe2-FETに対する電荷移動によるｐ型ドーピングを行った。これまで行ってきたF4-TCNQでのドーピング効果と比較した評価，およびX戦光電子分光による評価も加えて議論を行う。