講演情報
[23p-31B-2]WSe2/h-BN/WSe2ヘテロ構造におけるΓ-ΓトンネルとK-Γトンネルの選択的検出
〇木下 圭1、守谷 頼1、川﨑 盛矢1、小野寺 桃子1、張 奕勁1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、笹川 崇男3、町田 友樹1 (1.東大生研、2.物材機構、3.東工大フロンティア研)
キーワード：
TMD,トンネル,負性微分抵抗
本研究では、1層から4層までの異なる層数のWSe2を用いて WSe2/h-BN/WSe2トンネル接合を作製し、トンネル電流を比較した。Source側WSe2が2層以下の場合はK点からのホールトンネル、3層以上の場合はΓ点からのホールトンネルを検出できた。さらに、Γ点間で波数を保存する共鳴トンネル電流においてピーク・バレー比（PVR）は顕著に大きくなり、今回得られた値＝63.6は従来の二次元層状物質のPVRのトップデータを3倍近く更新する値だった。