講演情報
[23p-31B-3]遷移金属ダイカルコゲナイド共鳴トンネルデバイスにおける負性微分抵抗の観測とバンド構造形成メカニズムの解明
〇川崎 盛矢1、木下 圭1、小野寺 桃子1、守谷 頼1、張 奕勁1、増渕 覚1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、笹川 崇男3、町田 友樹1 (1.東大生研、2.物材機構、3.東工大フロンティア研)
キーワード：
共鳴トンネル,TMD,バンド
ファンデルワールストンネル接合において、価電子帯（VB）Γ点への共鳴トンネル電流を測定することで①多層p+-MoS2のVB-Γ点ミニギャップ（MG）、②単層WSe2と単層MX2（M = W, Mo、X = Se, S）のヘテロ二層のVB-Γ点バンド構造を調査した。①MGに起因する負性微分抵抗は層数および温度変化によらず存在すること、②ヘテロ二層のバンド構造は材料の組み合わせによって変化することを明らかにした。