[23p-31B-1~18] 17.3 層状物質

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[23p-31B-4] 単層ヤヌス遷移金属ダイカルコゲナイドにおける電子バンド構造の直接観測

〇(M2)赤塚 俊輔¹、坂野 昌人¹、中條 博史^2,3、加藤 俊顕²、山口 直也⁴、石井 史之⁴、山本 崇人¹、三石 夏樹⁵、渡邊 賢司⁶、谷口 尚⁶、北村 未歩⁷、堀場 弘司⁷、菅原 克明^8,9、相馬 清吾⁹、佐藤 宇史^8,9、組頭 広志¹⁰、瀬尾 優太¹¹、増渕 覚¹¹、町田 友樹¹¹、石坂 香子^1,5 (1.東大工、2.東北大院工、3.株式会社KOKUSAI ELECTRIC、4.金沢大NanoMaRi、5.理研CEMS、6.物材機構、7.量研機構、8.東北大院理、9.東北大WPI-AIMR、10.東北大多元研、11.東大生産研)

キーワード：

二次元物質,角度分解光電子分光,ヤヌスTMD

本発表では、放射光を用いた顕微角度分解光電子分光（μ-ARPES）により単層ヤヌスWSeSのバンド構造を直接観測し、ヤヌス化による電子構造の変化を調べた結果について報告する。
ヤヌスWSeSはラシュバ型のスピン分裂などの極性由来の電子物性の実現が期待される。ヤヌス試料は、機械的剥離で得られた単層WSe₂に対してフォトルミネッセンス（PL）によるその場観察を行いながらプラズマ処理を行うことで作製した。