講演情報
[23p-31B-5]走査型非線形誘電率顕微鏡によるMoS2積層pn接合のナノスケール観察
〇(M2)石塚 太陽1,2、山末 耕平2 (1.東北大院工、2.東北大通研)
キーワード：
層状半導体,走査型非線形誘電率顕微鏡,局所CV特性測定
シリコンに代わる半導体として注目されているMoS2をデバイスに応用するには，その物性の微視的な把握が必要である．今回は走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を用いてMoS2のpn接合を測定した．ニオブドープ（p型）MoS2上にノンドープ（n型）MoS2を積層して測定したところ，積層部分で容量変化が小さくなっていることが確認でき，pn接合による空乏化が起きていることが示唆された．この結果は，SNDMによるMoS2のpn接合評価ができることを示している．