講演情報
[23p-52A-13]NOによるSiC/SiO2界面への窒素導入速度論に対する雰囲気効果の理解
〇佐々木 琉1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)
キーワード：
SiC,窒化,NOアニール
NOを用いたSiC/SiO2界面への窒素導入速度論に対する正しい理解を与えることを目的として、意図的に異種ガスを混入させたNO雰囲気中での処理を試みた。その結果、この反応過程には同時進行する窒素の取り込みと脱離が存在し、これらの速度にSiC表面の酸化速度との強い相関がみられた。脱離速度定数は比例関係である一方、取り込み速度は酸化速度の増大とともに増加率が減少する関数で解釈されるべきものであった。