[23p-52A-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:00 〜 17:15

[23p-52A-15] 4H-SiC/SiO₂ 界面におけるNO分子の界面反応過程の理論解析

〇秋山 亨¹、影島 博之²、白石 賢二³ (1.三重大院工、2.島根大院自然科学、3.名大未来研)

キーワード：

SiC,界面,第一原理計算