[23p-52A-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:15 〜 13:30

[23p-52A-2] エピタキシャル成長前SiC基板へのH⁺注入効果

〇加藤 正史¹、渡邉 王雅¹、原田 俊太²、坂根 仁³ (1.名工大、2.名大、3.住重アテックス)

キーワード：

SiC,イオン注入,転位