[23p-52A-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:00 〜 14:15

[23p-52A-5] 4H-SiC中Al<0001>チャネリング/ランダム注入電子阻止能比のSi中<001>チャネリング/ランダム注入電子阻止能比との比較

〇望月 和浩¹、西村 智朗¹、三島 友義¹ (1.法政大)

キーワード：

炭化珪素,イオン注入,電子阻止能