[23p-52A-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:00 〜 15:15

[23p-52A-8] [第45回論文奨励賞受賞記念講演] 酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001),(1120)および(1100)MOSFETの移動度向上

〇立木 馨大¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：

炭化ケイ素