[23p-P03-1~6] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-P03-1] p型拡散層形成時間の変化によるMg₂Si PDの受光感度特性の解析

〇勝俣 響¹、今泉 尚己¹、植松 達哉¹、坂根 駿也¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大)

キーワード：

シリサイド半導体,フォトダイオード,受光感度