セッション詳細
[23p-P03-1~6]13.2 探索的材料物性・基礎物性
2024年3月23日(土) 13:30 〜 15:30
P03 (9号館)
[23p-P03-1]p型拡散層形成時間の変化によるMg2Si PDの受光感度特性の解析
〇勝俣 響1、今泉 尚己1、植松 達哉1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
[23p-P03-2]階段及び傾斜接合Mg2Si-TPVセルの出力特性シミュレーション
〇清水 匠1、宮後 大介1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
[23p-P03-3]Mg2Si基板上に堆積したAg薄膜の熱処理による反応
〇武井 日出人1、今泉 尚己1、尾嶋 海人1、久保田 啓聖1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大工)
[23p-P03-4]c-Al2O3基板上へのMg3Sb2薄膜のエピタキシャル成長における基板温度の影響
〇切通 望1、鮎川 瞭人1、坂根 駿也1、小峰 啓史1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
[23p-P03-5]Changes in Electronic Conductivity of AlN by Addition of Multiple Elements
〇Sri Ayu Anggraini1, Kenji Hirata1, Shinya Ohmagari1, Masato Uehara1, Hiroshi Yamada1, Morito Akiyama1 (1.AIST)
[23p-P03-6]スパッタリング法による酸化サマリウム薄膜の作製
國枝 慎1、〇矢崎 智昌1、有元 圭介1、山中 淳二1、原 康祐1 (1.山梨大クリスタル研)