講演情報
[23p-P03-3]Mg2Si基板上に堆積したAg薄膜の熱処理による反応
〇武井 日出人1、今泉 尚己1、尾嶋 海人1、久保田 啓聖1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大工)
キーワード：
フォトダイオード,pn接合
Mg2Siを用いた短波赤外（SWIR）域の受光素子の開発を進めており、これまで作製した単一のpn接合フォトダイオード素子で高い受光感度を実現している。pn接合の形成では、アクセプタ不純物のAgをn型Mg2Siの基板上に堆積させ、熱拡散を行うことでp層を形成させているが、AgとMg2Si表面の反応については詳しく調べられていなかった。本研究では、Mg2Si上に堆積したAg薄膜の熱処理を行い、熱処理後の表面状態を評価し、AgとMg2Si表面の反応について詳細に調査することを目的とする。