講演情報
[23p-P05-46]InAsSbダイオードの熱輻射光発電
〇松浦 徹1、半田 和眞1 (1.福井高専)
キーワード：
狭ギャップ半導体,地球輻射,エナージーハーベスティング
地球輻射から仕事を取り出すことができれば、夜間でも光発電が可能になる。狭ギャップ半導体p-n接合ダイオードを用いると、熱輻射過程から直接電気エネルギーを生み出すことができるが、これまで報告されたHgTe系狭ギャップ半導体ダイオードにおける実証実験では、僅かな出力しか得られていない。本研究は、既製品のInAsSb光起電力素子を用いて、外部からの光入射より自身の赤外線放射が有意な状態での光発電量を計測し、最大発電能力を明らかにすることを目的とする。