[24a-12F-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

9:00 〜 9:15

[24a-12F-1] CZ-Si結晶育成時における結晶内温度分布の輻射率依存性

〇柿本 浩一¹、中野 智² (1.東北大 NICHe、2.九大　応力研)

キーワード：

半導体,シリコン

チョクラルスキー法により育成した高濃度不純物添加シリコン単結晶は、パワーデバイス用結晶として多用されている。このために、結晶中の点欠陥およびボイド形成、および結晶中の温度分布と固液界面形状の制御が必須である。高濃度不純物添加シリコン単結晶の熱物性、特に輻射率に関しては、1990年代に永田らによりに報告されている[1]。本報告では、この輻射率の不純物濃度依存性を考慮に入れ、チョクラルスキー法を用いて育成したシリコン単結晶成長中の結晶育成炉内の温度及び固液界面形状の解析を行った。